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    更新時間：2020-06-23

    型號：BTF-1200C-S-SL-CVD

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    非氣態源化學氣相沉積系統 1.前驅體灌溫度可達400℃； 2.溫度獨立可調； 3.固態或液態前驅體在一定溫度下蒸發后通過惰性氣體帶入反應區域參與的一些CVD反應。
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    更新時間：2020-05-07

    型號：BTF-1200C-S-PECVD

    瀏覽量：1129

    微型PECVD系統，它包括小型真空管式爐，石英真空室、真空抽氣與真空測量系統、氣路系統、射頻電源系統、物料噴射系統。電源范圍寬：0-100W可調； 溫度范圍寬：100-1200度可調；濺射區域寬：0-600mm可調；適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長各種薄膜等。增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能。
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    更新時間：2019-11-06

    型號：BTF-1200C-LH-CVD

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    流化床CVD系統—化學氣相沉積法可控及批量制備碳納米管設備，該設備包括有：自動加液裝置、超聲波霧化發生裝置、氣體供應裝置、氣體流量控制裝置、三溫區流化床反應器及加熱裝置、旋風分離器、固體收集裝置、凈化處理裝置。
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    更新時間：2018-06-12

    型號：BTF-1200C-II-SL-

    瀏覽量：2517

    二維材料設備CVD系統前端配有可加熱到400℃的預加熱器，輔助二維材料蒸發，后端為雙溫區管式爐，溫度控制精確，操作簡便。并配質量流量計系統和真空系統，可以準確的反應腔體內部的氣體壓力和氣體流量，對于做低壓CVD實驗非常實用，重復性好。
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