智能型PECVD系統（含壓力控制系統）

 我公司研制的滑軌式PECVD系統能使整個實驗腔體都處于輝光產生區，輝光均勻等效，這種技術很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態，這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現象。

 與傳統CVD系統比較，生長溫度更低。

 使用滑軌爐實現快速升溫和降溫。

 設備*的技術使得整管輝光均勻等效，均勻生長。

主要特點：

1.薄膜沉積速率高：射頻輝光技術，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10?/S；
2. 大面積均勻性高：采用了先進的多點射頻饋入技術，特殊氣路分布和加熱技術等，使得薄膜均勻性指標達到8%；
3. 一致性高：用半導體行業的先進設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；
4. 工藝穩定性高：高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定；

技術參數：

1、單溫區加熱系統：

2、PE射頻電源：

該CVD系統可配備PE射頻電源，將CVD系統升級為PECVD。當參與反應的氣氛進入爐管在射頻電源的作用下產生離子體，可使反應更加充分。同時等離子體起增強的作用，從而很大程度上優化實驗的工藝條件。

3、五路質子流量控制系統：

供氣系統是一種可控制4種氣體按不同流量進行混合配比，也可根據實驗需求加裝洗氣裝置，質量流量計安裝于密封的可移動機柜內，由超潔雙拋不銹鋼管與精密雙卡套接頭連接組成，觸摸屏控制。

4、真空機組：

真空機組，內部安裝雙極旋片機械泵1臺，電容真空計1套，并含有配套使用的波紋管，手動擋板閥，卡箍等連接部件。設備冷態極限真空可達0.5Pa。

5、壓力控制系統：

壓力控制系統主要部件蝶閥、壓力控制器、電容真空計組成。

壓力控制系統的作用：根據實驗要求，在出氣端和泵之間增加蝶閥（調節閥）和真空計，真空計可檢測管內壓力，通過 PLC 調節蝶閥（調節閥）開啟的大小，以達到控制管內壓力不變。

壓力可范圍：100~100000Pa

控制精度：測量值±5%